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科学家辞职、蜘蛛抗议也不是头一回了。有严泄其余的37%确实只在非Elsevier出版的期刊上发表论文。

虽然Sci-Hub从官方层面上被否定，部曲但全球的科研从业者却对它推崇备至，即使是那些版权保护意识很强的地区。向作者而非订阅者收费的模式，赫兰就决定了一个期刊的收入取决于发表的文章数。后来又传出一个太空计划，德口希望通过小型低轨道空间站将代理服务器放置于太空。

但从全球范围来看，天机历经多年的呼吁和推行，开放获取并没有形成主流。不管怎么样，新版侠海盗湾至今仍然在继续运行着。

然而，蜘蛛23%的签名科学家在签名以后仍继续在Elsevier的期刊上发表了论文（其中化学领域这一结果为29%，心理学为17%）。

不仅仅是Sci-Hub在以一种罗宾汉的方式来对抗目前的期刊订阅状态，有严泄国际主流科学界同样也在推行开放获取，试图改变当下的状态。【引言】二维（2D）元素层状晶体，部曲如石墨烯、黑磷（B-P）等由于其丰富的物理化学性质，已经得到了研究人员的极大关注。

赫兰该研究结果表明少层b-As基FETs是一种有望应用于多功能微纳电子器件的候选材料。欢迎大家到材料人宣传科技成果并对文献进行深入解读，德口投稿邮箱[email protected].投稿以及内容合作可加编辑微信：cailiaokefu.。

（2）探索二维半导体的磁性掺杂，天机通过Fe掺杂SnS2获得了具有铁磁特性的二维半导体（Nat.Commun.2017,8,1958.），天机成功将磁性Co元素掺入MoS2形成高质量二维合金（ACSNano2015,9(2),1257-1262.）。【图文导读】图一b-As晶体的表征（a）具有层状特性的b-As晶体结构模型（b）单层和多层b-As薄片的显微拉曼光谱（c、新版侠d）b-As晶体的HRTEM和选区电子衍射（SAED）图像图二单层b-As场效应晶体管的表征（a）单层b-As场效应晶体管的截面示意图（b）单层b-As场效应晶体管的AFM图像（c）不同漏源电压下（从-0.01到-1V）单层器件的输运特性（Ids-Vg），新版侠其左侧是对数刻度，右侧是线性刻度（d）不同栅极电压下（0到-20V）器件的输出特性图三b-As场效应晶体管载流子输运与厚度及温度之间的相关性（a）在Vds为-0.5V时，b-As的载流子迁移率及开关电流比与材料厚度之间的函数关系曲线（b）三种代表性厚度（4.6、8.9和14.6nm）的砷基场效应晶体管的输运特性，插图表示厚度为14.6nm样品的输出特性（c）不同温度下厚度为9.5nm的b-As场效应晶体管的输运特性（Ids-Vg）（d）载流子迁移率随温度的变化关系，在温度约为230K处载流子迁移率出现峰值，为52cm2V-1s-1，在低温区域，载流子迁移率主要受限于杂质散射，在高于230K的区域，载流子迁移率随着温度的升高而快速降低，其变化关系可由μ∝T-α表示，其中α≈0.3，这是由于在该温度区域内晶格散射占主导地位图四b-As器件的环境稳定性（a）少层b-As晶体管的漏源I-V特性与环境暴露时间之间的关系，可以看出26天后，晶体管仍保持良好的欧姆接触性能（b）晶体管的输运性能随暴露时间的变化关系（c）该晶体管的载流子迁移率和开关电流比与暴露于空气中的时间之间的函数关系，随着暴露时间的增加，该晶体管的迁移率从26cm2V-1s-1非线性降低至约为8.4cm2V-1s-1，而开关电流比却从69增加至约为97，对于该场效应晶体管，砷的厚度为11.9nm，沟道长≈2μm，沟道宽≈2μm（d）b-As中的氧含量与暴露于空气的时间之间的函数关系，该数值取自HAADFSTEM-EDX结果图五少层b-As的电子性质（a）单层原子结构和相关布里渊区的俯视图（b）理论计算的单层黑砷的电子能带结构（c、d）CBM和VBM的电荷分布（e）黑砷的带隙变化与层厚之间的函数关系【小结】本文制备出机械剥离的单层和少层b-As基场效应晶体管并详细地研究了它们的电学性质。